دانلود پروژه

مقاله A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET فایل ورد (word) دارای 5 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET فایل ورد (word) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET فایل ورد (word) ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET فایل ورد (word) :

سال انتشار: 1390

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: 5

چکیده:

A novel method to improve linearity of PD SOI MOSFET circuits is presented. There is a transition in the output-conductance of body-contacted PD SOI device associated to the finite body resistance (RB). The transition degrades the device linearity specifications, particularly, HD3 and IP3. A relation for the body resistance is extracted toeliminate the transition. Using device simulation, the transitionfree curve for the operation of a 45 nm PD SOI MOSFET was extracted. A 2.4 GHz low noise amplifier was designed to operate in the transition-free region. Mixed circuit device simulation of LNA showed at least 7 dB enhancement of HD3 and 4 dB improvement of IP3. Simulation results verified the high frequency advantage of transition-free design

کلمات کلیدی :