دانلود پروژه

مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از TopدرContact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه فایل ورد (word) دارای 3 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از TopدرContact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه فایل ورد (word) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از TopدرContact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه فایل ورد (word) ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از TopدرContact Thin Film Transistor Pentacene براساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه فایل ورد (word) :

سال انتشار: 1390

محل انتشار: همایش علمی سالانه دانشگاه رازی

تعداد صفحات: 3

چکیده:

در این مقاله، شبیه سازی وارونگر با بار فعال با استفاده از Top-Contact Pentacene Thin Film Transistor بر اساس شبکه عصبی پرسپترون چند لایه انجام شده است. مدل شبکه عصبی این ترانزیستور به صورت یک زیر مدار در برنامه شبیه ساز HSPICE گنجانده شده است و نتیجه شبیه سازی مدار وارونگر با استفاده از این مدل، در مقایسه با خروجی مدار ساخته شده دارای تطابق بسیار بالایی بوده و در ادامه جهت ارزیابی و اعتبارسنجی روش پیشنهادی، شبیه سازی یک تقویت کننده نیز انجام شده که از دقت بالایی برخوردار است.

کلمات کلیدی :